SiC 模塊內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC構(gòu)成,與Si(硅)材質(zhì)的
IGBT模塊相比,可大幅降低開關(guān)損耗。 內(nèi)置SiC-SBD、SiC-MOSFET,與傳統(tǒng)的Si-IGBT相比,在100KHz以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。
4.1 SiC 模塊的特征
現(xiàn)在,針對大電流的功率模塊中廣泛應(yīng)用的主要是由Si 的
IGBT 和FRD 組成的IGBT 模塊。ROHM在世界上首次開始推出搭載了SiC‐MOSFET 和SiC‐SBD 的功率模塊。由IGBT 的尾電流和FRD 的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗,通過切換為SiC 功率模塊可以明顯地減少,因此具有以下效果:
1. 開關(guān)損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化(例:散熱片的小型化、水冷/強制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化)
2. 工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)
主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。文章來源:http://www.wllre.cn/js/157.html
4.2 電路構(gòu)成
現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC 功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1 類型的模塊,分為由SiC MOSFET+ SiC SBD 構(gòu)成的類型和只由SiC MOSFET 構(gòu)成的類型這兩種,請根據(jù)用途進(jìn)行選擇。
模塊外觀如下圖:
SiC 功率模塊電路圖(半橋電路)
■SiC‐MOSFET + SiC‐SBD 組成
■SiC‐MOSFET 組成