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CREE Sic MOSFET

科銳(Cree)發(fā)布第二代碳化硅MOSFET,相比硅材料的解決方案,它可以使系統(tǒng)變得更小,效率更高。在相同的功率密度和開關(guān)效率的條件下,比科銳(Cree)第一代MOSFET產(chǎn)品每安培成本下降一半。從這個(gè)角度說,它可以降低OEM的系統(tǒng)成本,終端用戶的能耗和安裝運(yùn)輸成本。

第二代碳化硅MOSFET具有高開關(guān)速度低寄生電容,高阻斷電壓低導(dǎo)通電阻正溫度系數(shù),易于并聯(lián),驅(qū)動(dòng)簡單等特點(diǎn),廣泛用于光伏,開關(guān)電源,高壓DCDC變換器,電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域;

目前,科銳(Cree)發(fā)布的碳化硅MOSFET電壓等級(jí)有1200V,1700V,單管型號(hào)的導(dǎo)通電阻分別為25mΩ,40mΩ,80mΩ,160mΩ,280mΩ,1Ω;同時(shí)科銳(Cree)還發(fā)布的碳化硅MOSFET模塊,詳細(xì)情況請(qǐng)聯(lián)系我們。

1700-V 1200-V SiC MOSFET Packaged 1200-V SiC MOSFET Die
Packaged Die
C2M1000170D New! CPM2-1200-0025B
C2M0080120D CPM2-1200-0080B
C2M0160120D New! CPMF-1200-S080B
CMF10120D CPMF-1200-S160B
CMF20120D  
C2M0025120D  
C2M0040120D  
C2M0280120D  
C2M1000170D

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