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熱銷(xiāo)產(chǎn)品
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FF200R12KS4英飛凌IGBT模塊

產(chǎn)品作用和性能:
英飛凌FF200R12KS4 是英飛凌公司專(zhuān)門(mén)針對高頻應用領(lǐng)域而開(kāi)發(fā)發(fā)行的62mmC-Series模塊,在變頻器中的應用實(shí)現了系統的高效率和小型化,其開(kāi)關(guān)頻率在20~50kHz的應用場(chǎng)合能發(fā)揮最大優(yōu)良特性 。而在典型情況下, IGBT模塊的優(yōu)化,所針對的載波頻率卻是10kHz或更低。通常,在IGBT/FWD芯片的通態(tài)壓降和開(kāi)關(guān)損耗之間有一個(gè)折衷關(guān)系。高速模塊在進(jìn)行性能折衷時(shí),是讓通態(tài)電壓偏大,以換取偏低的開(kāi)關(guān)功耗,從而能在高頻應用中實(shí)現最低的總功耗。其在醫療應用、電機傳動(dòng)、諧振逆變器應用、伺服驅動(dòng)器、UPS系統作為高頻開(kāi)關(guān)使用。
英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4 
英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4
上海菱端電子科技有限公司www.wllre.cn常備FF200R12KS4大量現貨,價(jià)格從優(yōu),歡迎聯(lián)系采購及技術(shù)支持。
 


英飛凌FF200R12KS4機械特性 :
• 封裝的CTI>400 
• 高爬電距離和電氣間隙 
• 絕緣的基板 
• 銅基板
• 標封裝

英飛凌FF200R12KS4 基本參數:IGBT模塊,1200V/200A DUAL
 
英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結構圖
 
英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結構圖
 
英飛凌FF200R12KS4 產(chǎn)品參數:
 
產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
品牌和型號 英飛凌FF200R12KS4
配置: Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續集電極電流: 275 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1.4 kW
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: 62 mm
商標: Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風(fēng)格: Screw
產(chǎn)品價(jià)格和中英文資料 聯(lián)系我們咨詢(xún)和索取
每盒數量: 10
 
英飛凌FF200R12KS4  等效電路
英飛凌FF200R12KS4  等效電路
 
英飛凌FF200R12KS4 IGBT模塊受損原因分析
 
 IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定:
  --IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;
  --IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓;
  --流過(guò)IGBT集電極-發(fā)射極的電流;
  --IGBT的結溫。
  如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅動(dòng)電壓過(guò)低,則IGBT不能穩定正常地工作,如果過(guò)高超過(guò)柵極-發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過(guò)集電極-發(fā)射極之間的耐壓,流過(guò)IGBT集電極-發(fā)射極的電流超過(guò)集電極-發(fā)射極允許的最大電流,IGBT的結溫超過(guò)其結溫的允許值,IGBT都可能會(huì )永久性損壞。
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