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斬波電路IGBT模塊損耗計(jì)算

IGBT模塊損耗：
IGBT模塊
IGBT：
通態(tài)損耗
開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通損耗EON、關(guān)斷損耗EOFF）
FWD：
通態(tài)損耗
開(kāi)關(guān)（反向恢復(fù)）損耗 ERR
斬波電路平均損耗的計(jì)算：
斬波電路平均損耗的計(jì)算
平均損耗計(jì)算范例
PRHMB100B12, Vcc=600V, Ic=100A, RG=10Ω,VGE=±15V, f=10kHz, 導(dǎo)通比 :3:1
通態(tài)損耗 : 100(A)×2.2*1(V)×3/4＝160(W)
開(kāi)通損耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)＝95(W)
關(guān)斷損耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)＝95(W)
IGBT 損耗合計(jì) : 350(W)
通態(tài)損耗 : 100(A)×1.9*2(V)×1/4＝47.5(W)
開(kāi)關(guān)（反向恢復(fù)）損耗 : 8.5(mJ)×10(kHz)＝85(W)
FWD 損耗合計(jì) : 132.5(W)
模塊損耗合計(jì) 482.5(W)
*1 Ic=100A, TJ=125℃時(shí)的集電極-發(fā)射極之間的飽和壓降
*2 IF=100A, TJ=125℃ 時(shí)的FWD正向電壓
相對(duì)于外殼溫度的結(jié)溫上升：
相對(duì)于外殼溫度的結(jié)溫上升
相對(duì)于環(huán)境溫度、散熱片溫度的外殼溫度上升：
接觸熱阻 Rth(c-f)，散熱片熱阻 Rth(f-a)
相對(duì)于環(huán)境溫度、散熱片溫度的外殼溫度上升
外殼溫度和散熱片/周?chē)鷾囟鹊牟罹?br />
Tc－Tf                       Rth(c-f)×482.5
Tf－Ta                       Rth(f-a)×482.5

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