加入收藏    設為首頁(yè)
熱銷(xiāo)產(chǎn)品
> IGBT散熱 > 文章正文

斬波電路IGBT模塊損耗計算

IGBT模塊損耗:
IGBT模塊
IGBT:
通態(tài)損耗
開(kāi)關(guān)損耗(開(kāi)通損耗EON、關(guān)斷損耗EOFF)
FWD:
通態(tài)損耗
開(kāi)關(guān)(反向恢復)損耗 ERR
斬波電路平均損耗的計算:
斬波電路平均損耗的計算
平均損耗計算范例
PRHMB100B12, Vcc=600V, Ic=100A, RG=10Ω,VGE=±15V, f=10kHz, 導通比 :3:1
通態(tài)損耗 : 100(A)×2.2*1(V)×3/4=160(W)
開(kāi)通損耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)=95(W)
關(guān)斷損耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)=95(W)
IGBT 損耗合計 : 350(W)
通態(tài)損耗 : 100(A)×1.9*2(V)×1/4=47.5(W)
開(kāi)關(guān)(反向恢復)損耗 : 8.5(mJ)×10(kHz)=85(W)
FWD 損耗合計 : 132.5(W)
模塊損耗合計 482.5(W)
*1 Ic=100A, TJ=125℃時(shí)的集電極-發(fā)射極之間的飽和壓降
*2 IF=100A, TJ=125℃ 時(shí)的FWD正向電壓
相對于外殼溫度的結溫上升:
相對于外殼溫度的結溫上升
相對于環(huán)境溫度、散熱片溫度的外殼溫度上升:
接觸熱阻 Rth(c-f),散熱片熱阻 Rth(f-a)
相對于環(huán)境溫度、散熱片溫度的外殼溫度上升
外殼溫度和散熱片/周?chē)鷾囟鹊牟罹?br />
Tc-Tf                       Rth(c-f)×482.5
Tf-Ta                       Rth(f-a)×482.5

    驗證碼: 點(diǎn)擊我更換圖片
       上海菱端電子科技有限公司:
       聯(lián)系人:夏小姐
       服務(wù)熱線(xiàn):021-58979561
       業(yè)務(wù)咨詢(xún)qq:447495955
       業(yè)務(wù)咨詢(xún)qq:1852433657
       業(yè)務(wù)咨詢(xún)qq:513845646
       技術(shù)支持qq:313548578
       技術(shù)交流群:376450741
       業(yè)務(wù)咨詢(xún):  點(diǎn)這里給我發(fā)消息
       業(yè)務(wù)咨詢(xún):  點(diǎn)這里給我發(fā)消息
       業(yè)務(wù)咨詢(xún):  點(diǎn)這里給我發(fā)消息
       技術(shù)支持:  點(diǎn)這里給我發(fā)消息
       媒體合作:  點(diǎn)這里給我發(fā)消息